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產品導航

功率器件動態老化系統(DHTOL2000)

該系統可對MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件進行動態老化和測試,老化過程中實時監測被測器件的峰值電流、工作電壓、導通電阻,并根據需要記錄老化試驗數據,導出試驗報表。

功能
  • 高頻動態電壓、電流老化
  • 整機60s的全工位數據刷新
  • 獨特保護電路,單位器件擊穿不影響其他工位老化進程
  • 可定制區位老化電壓獨立控制功能,實現單工位老化超限剔除
產品特性

試驗溫區

1 個

試驗溫度

室溫

老化試驗區

32區(16/32區可選)

單區工位數

20(典型)

老化電壓范圍

0~650V、精度:±(2%+0.1V)

電流檢測范圍

0~1A、精度:±(2%+0.05A)

脈沖頻率

50KHz~200kHz、精度:1%±2LSB

占空比

30%~70%、精度:2%

導通電阻Rds(on)

30mΩ~ 5Ω、精度:10%

整機供電

三相AC380V±38V

最大功率

25KW(典型)

整機重量

1100KG(典型)

整機尺寸

2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H)

適用標準

GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22

適用器件

適用于各種大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件

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